TR-1.4: Tecnologie e applicazioni dell’elettronica delle microonde
LR-ING-INF01.1
Caratterizzazione e modellistica a microonde di dispositivi elettronici avanzati per applicazioni di comunicazione wireless
Come ben noto, un’accurata caratterizzazione e modellistica a microonde di dispositivi attivi a semiconduttori è di fondamentale importanza per la realizzazione di circuiti elettronici destinati ai sistemi di comunicazione wireless, che trovano svariate applicazioni dalla telefonia cellulare alle applicazioni spaziali, in quanto il dispositivo attivo rappresenta il cuore di questi circuiti. Pertanto, sono stati caratterizzati e modellizzati di dispositivi elettronici di tipo transistor. I dispositivi studiati sono stati completamente caratterizzati ad alte frequenze effettuando misure dei parametri di scattering fino a 65 GHz, misure dei parametri di rumore fino a 26.5 GHz e misure ad ampio segnale fino a 50 GHz, al fine di determinare il comportamento dei dispositivi nelle reali condizioni di funzionamento. Inoltre, sono state sviluppate innovative procedure di modellistica per l’estrazione di modelli basati su una rappresentazione di tipo circuito equivalente, che hanno permesso di riprodurre fedelmente il comportamento dei dispositivi analizzati al variare delle condizioni operative, quali ad esempio la condizione di polarizzazione e la temperatura. I modelli circuitali così ottenuti hanno consentito di ottenere una più approfondita conoscenza della fisica dei dispositivi e di effettuare la progettazione e realizzazione di circuiti a microonde, sia amplificatori di potenza che a basso rumore.
Pubblicazioni relative alle linee di ricerca:
[1] A. Caddemi, L. Boglione, E. Cardillo, G. Crupi, and J. Roussos, “Cross-laboratory experimental validation of a tuner-less technique for the microwave noise parameters extraction,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 69, no. 3, pp. 1733-1739, March 2021.
[2] G. Crupi, A. Raffo, V. Vadalà, G. Vannini, D. M. M.-P. Schreurs, and A. Caddemi, “Scalability of multifinger HEMT performance,” IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 30, no. 9, pp. 869-872, September 2020.
[3] G. Bosi, A. Raffo, F. Trevisan, V. Vadalà, G. Crupi, and G. Vannini, “Nonlinear-embedding design methodology oriented to LDMOS power amplifiers,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 33, no. 10, pp. 8764-8774, October 2018.
Referente: Prof. Giovanni Crupi (crupig@unime.it)
Centri di Ricerca o altri Istituti di Ricerca con cui si collabora:
- Department of Engineering, University of Ferrara, Ferrara 44122, Italy.
- Electronic Engineering Department, Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, Belgio.
- US Naval Research Laboratory, Electronics Science and Technology Division, Washington, USA.
- Institute of Electronic, Microelectronic and Nanotechnology (IEMN), University of Lille, France.